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Advanced Theory of Semiconductor Devices – Karl Hess – 1st Edition

Descripción

Los dispositivos semiconductores son omnipresentes en el mundo de hoy y se encuentran cada vez más en automóviles, cocinas y puertas electrónicas, lo que demuestra su presencia en nuestra vida diaria. Este libro le ofrece los fundamentos completos de la teoría de dispositivos semiconductores, desde la física cuántica básica hasta el diseño asistido por computadora.

La Teoría avanzada de dispositivos semiconductores lo ayudará a mejorar su comprensión de los dispositivos de simulación por computadora a través de una discusión exhaustiva de las ecuaciones básicas, su validez y las soluciones numéricas que se encuentran en las herramientas de simulación actuales. Obtendrá un conocimiento avanzado de los dispositivos utilizados tanto con compuestos III-V como con tecnología de silicio.

Desarrollos y explicaciones especiales del transporte electrónico, especialmente en diodos de unión p-n. También se presta especial atención a los tratamientos innovadores de los diodos láser de nivel cuántico y los efectos de hotelectrón en la tecnología de silicio.

Este libro en profundidad está diseñado expresamente para estudiantes graduados, científicos de investigación,
e ingenieros de investigación en estado sólido de la electrónica que quieran obtener una mejor comprensión de los principios de los dispositivos semiconductores.

Ver más
  • Preface.
    Acknowledgments.
    A Brief Review of the Basic Equations.
    The Symmetry of the Crystal Lattice.
    The Theory of Energy Bands in Crystals.
    Imperfections of Ideal Crystal Structure.
    Equilibrium Statistics for Electrons and Holes.
    Self-Consistent Potentials and Dielectric Properties.
    Scattering Theory.
    The Boltzmann Transport Equation.
    Generation-Recombination.
    The Heterojunction Barrier.
    The Device Equations of Shockley and Stratton.
    Numerical Device Simulations.
    Diodes.
    Laser Diodes.
    Transistors.
    Future Semiconductor Devices.

    Appendix A: Tunneling and the Golden Rule.
    Appendix B: The One Band Approximation.
    Appendix C: Temperature Dependence of the Band Structure.
    Appendix D: Hall Effect and Magnetoresistance.
    Appendix E: The Power Balance Equation.
    Appendix F: The Self-Consistent Potential at a Heterojunction.
    Appendix G: Schottky Barrier Transport.

    Index.
    About the Author.
  • Citar Libro

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